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KSP12BU

更新时间： 2024-11-20 20:41:43

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	31K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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KSP12BU 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.53	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	20000	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KSP12BU 数据手册

KSP12

Darlington Transistor

•

Collector-Emitter Voltage: V

Collector Power Dissipation: P (max)=625mW

=20V

CES

TO-92

1. Emitter 2. Base 3. Collector

NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

CES

EBO

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

625

°C

150

-55 ~ 150

°C

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

I =100µA, I =0

CES

CBO

=15V, I =0

100

=15V, I =0

CES

EBO

=10V, I =0

DC Current Gain

=5V, I =10mA

20K

(sat)

(on)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

I =10mA, I =0.01mA

=5V, I =10mA

1.4

Rev. A2, September 2002

12 3 4

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