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KSP12D75Z

更新时间： 2024-02-15 08:45:07

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	32K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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KSP12D75Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.79	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	20000	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KSP12D75Z 数据手册

KSP12

Darlington Transistor

•

Collector-Emitter Voltage: V

Collector Power Dissipation: P (max)=625mW

=20V

CES

TO-92

1. Emitter 2. Base 3. Collector

NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

CES

EBO

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

625

°C

150

-55 ~ 150

°C

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

I =100µA, I =0

CES

CBO

=15V, I =0

100

=15V, I =0

CES

EBO

=10V, I =0

DC Current Gain

=5V, I =10mA

20K

(sat)

(on)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

I =10mA, I =0.01mA

=5V, I =10mA

1.4

Rev. A1, June 2001

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KSP-12-F/Q	MSYSTEM	获取价格	Plug-in Signal Conditioners K-UNIT
KSP12J05Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3 PIN
KSP12J18Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3 PIN
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