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KSP05D75Z

更新时间： 2024-11-01 14:43:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	32K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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KSP05D75Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.77
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

KSP05D75Z 数据手册

KSP05/06

Amplifier Transistor

•

Collector-Emitter Voltage: V

= KSP05: 60V

KSP06: 80V

CEO

•

Collector Dissipation: P (max)=625mW

Complement to KSP55/56

TO-92

1. Emitter 2. Base 3. Collector

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

CBO

: KSP05

: KSP06

CEO

EBO

: KSP05

: KSP06

Emitter-Base Voltage

Collector Current

500

°C

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

625

150

-55~150

°C

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

Max.

Units

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I =1mA, I =0

CEO

: KSP05

: KSP06

Emitter-Base Breakdown Voltage

I =100µA, I =0

EBO

Collector Cut-off Current

: KSP05

CBO

=60V, I =0

0.1

µA

: KSP06

=80V, I =0

Collector Cut-off Current

DC Current Gain

=60V, I =0

0.1

µA

CEO

=1V, I =10mA

=1V, I =100mA

(sat)

(on)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

I =100mA, I =10mA

0.25

1.2

=1V, I =100mA

Current Gain Bandwidth Product

=2V, I =10mA

100

MHz

f=100MHz

* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%

Rev. A, February 2000

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