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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSP05TA
KSP05TA PDF预览

KSP05TA

更新时间： 2024-01-28 14:34:30
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 37K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/AMMO

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KSP05TA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.53最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT APPLICABLE元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

KSP05TA 数据手册

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KSP05/06  
Amplifier Transistor  
•
Collector-Emitter Voltage: V  
= KSP05: 60V  
KSP06: 80V  
CEO  
•
•
Collector Dissipation: P (max)=625mW  
Complement to KSP55/56  
C
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: KSP05  
: KSP06  
60  
80  
V
V
CEO  
EBO  
: KSP05  
: KSP06  
60  
80  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
4
500  
V
I
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
625  
C
T
T
150  
J
-55~150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I =1mA, I =0  
CEO  
C
B
: KSP05  
: KSP06  
60  
80  
V
V
BV  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
I =100µA, I =0  
4
V
EBO  
E
C
I
Collector Cut-off Current  
: KSP05  
CBO  
V
V
=60V, I =0  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
CB  
CB  
E
: KSP06  
=80V, I =0  
E
I
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
=60V, I =0  
0.1  
µA  
CEO  
CE  
B
h
V
V
=1V, I =10mA  
50  
50  
FE  
CE  
CE  
C
=1V, I =100mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I =100mA, I =10mA  
0.25  
1.2  
V
V
CE  
C
B
V
=1V, I =100mA  
C
BE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
=2V, I =10mA  
100  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

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