5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSP06BU_NL
KSP06BU_NL PDF预览

KSP06BU_NL

更新时间： 2024-11-24 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 37K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

KSP06BU_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.74
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

KSP06BU_NL 数据手册

 浏览型号KSP06BU_NL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KSP06BU_NL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KSP06BU_NL的Datasheet PDF文件第4页 
KSP05/06  
Amplifier Transistor  
•
Collector-Emitter Voltage: V  
= KSP05: 60V  
KSP06: 80V  
CEO  
•
•
Collector Dissipation: P (max)=625mW  
Complement to KSP55/56  
C
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: KSP05  
: KSP06  
60  
80  
V
V
CEO  
EBO  
: KSP05  
: KSP06  
60  
80  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
4
500  
V
I
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
625  
C
T
T
150  
J
-55~150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I =1mA, I =0  
CEO  
C
B
: KSP05  
: KSP06  
60  
80  
V
V
BV  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
I =100µA, I =0  
4
V
EBO  
E
C
I
Collector Cut-off Current  
: KSP05  
CBO  
V
V
=60V, I =0  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
CB  
CB  
E
: KSP06  
=80V, I =0  
E
I
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
=60V, I =0  
0.1  
µA  
CEO  
CE  
B
h
V
V
=1V, I =10mA  
50  
50  
FE  
CE  
CE  
C
=1V, I =100mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I =100mA, I =10mA  
0.25  
1.2  
V
V
CE  
C
B
V
=1V, I =100mA  
C
BE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
=2V, I =10mA  
100  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

中文翻译

下载PDF

与KSP06BU_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSP06D27Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
KSP06D75Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
KSP06J OTAX

获取价格

 		DIP Switch
KSP06J05Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
KSP06L OTAX

获取价格

 		DIP Switch
KSP06S OTAX

获取价格

 		DIP Switch
KSP06TA FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/A
KSP06TA ONSEMI

获取价格

 		NPN外延硅晶体管
KSP07J OTAX

获取价格

 		DIP Switch
KSP07L OTAX

获取价格

 		DIP Switch

与KSP06BU_NL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证