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KSD794A

更新时间: 2024-01-28 19:42:09
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
5页 54K
描述
Audio Frequency Power Amplifier

KSD794A 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.72最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):160JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):10 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):60 MHzBase Number Matches:1

KSD794A 数据手册

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KSD794/794A  
Audio Frequency Power Amplifier  
Complement to KSB744/KSB744A  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
Collector- Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
70  
V
CBO  
CEO  
: KSD794  
: KSD794A  
45  
60  
V
V
V
Emitter- Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
5
V
A
EBO  
I
I
I
3
C
5
A
CP  
B
0.6  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
1
10  
W
W
°C  
°C  
C
a
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
C
C
T
T
Junction Temperature  
150  
J
Storage Temperature  
- 55 ~ 150  
STG  
* PW10ms, Duty Cycle50%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
µA  
I
V
V
= 45V, I = 0  
1
1
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
I
= 3V, I = 0  
µA  
C
h
V
V
= 5V, I = 20mA  
30  
60  
70  
100  
FE1  
CE  
CE  
C
h
= 5V, I = 0.5A  
320  
2
FE2  
C
V
V
(Sat)  
(Sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I
I
=1.5A, I = 0.15A  
0.3  
0.8  
60  
V
V
CE  
C
C
B
=1.5A, I = 0.15A  
2
BE  
B
f
V
V
= 5V, I = 0.1A  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
E
C
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
40  
ob  
E
* Pulse Test: PW350µs, Duty Cycle2% Pulsed  
h
Classificntion  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
60 ~ 120  
100 ~ 200  
160 ~ 320  
FE2  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  

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