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KSD880

更新时间： 2024-09-25 22:47:31
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率放大器局域网
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4页 62K
描述
Low Frequency Power Amplifier

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KSD880 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.83最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHz

KSD880 数据手册

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KSD880  
Low Frequency Power Amplifier  
•
Complement to KSB834  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
60  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
60  
7
V
I
3
0.3  
A
C
I
Base Current  
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
30  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
100  
Units  
µA  
I
I
V
V
= 60V, I = 0  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
= 7V, I = 0  
100  
µA  
C
BV  
I
= 50mA, I = 0  
60  
V
CEO  
C
B
h
h
V
V
= 5V, I = 0.5A  
60  
20  
300  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 3A  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
Turn ON Time  
I
= 3A, I = 0.3A  
0.4  
0.7  
3
1
1
V
V
CE  
C
B
V
V
V
V
= 5V, I = 0.5A  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
CC  
f
= 5V, I = 0.5A  
MHz  
pF  
µs  
T
C
C
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
70  
ob  
E
t
t
t
= 30V, I = 1A  
0.8  
1.5  
0.8  
ON  
C
I
= - I = 0.2A  
Storage Time  
B1  
B2  
µs  
STG  
F
R = 30Ω  
L
Fall Time  
µs  
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
G
h
60 ~ 120  
100 ~ 200  
150 ~ 300  
FE1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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