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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 5 weeks | 风险等级： | 0.81 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSD882 | SAMSUNG |
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NPN (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING) |
|
| KSD882 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Audio Frequency Power Amplifier |
|
| KSD882 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-126 |
|
| KSD882G | FAIRCHILD |
获取价格 |
Audio Frequency Power Amplifier |
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| KSD882-G | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 |
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| KSD882GSTUO | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
|
| KSD882GSTUR | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, T |
|
| KSD882GSTUY | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 |
|
| KSD882O | FAIRCHILD |
获取价格 |
Audio Frequency Power Amplifier |
|
| KSD882-O | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 |
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