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KSD794AO

更新时间： 2024-02-02 10:35:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 50K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126,

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KSD794AO 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.79外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：10 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：60 MHz
Base Number Matches：1

KSD794AO 数据手册

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KSD794/794A  
Audio Frequency Power Amplifier  
•
Complement to KSB744/KSB744A  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
Collector- Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
70  
V
CBO  
CEO  
: KSD794  
: KSD794A  
45  
60  
V
V
V
Emitter- Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
5
V
A
EBO  
I
I
I
3
C
5
A
CP  
B
0.6  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
1
10  
W
W
°C  
°C  
C
a
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
C
C
T
T
Junction Temperature  
150  
J
Storage Temperature  
- 55 ~ 150  
STG  
* PW≤10ms, Duty Cycle≤50%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
µA  
I
V
V
= 45V, I = 0  
1
1
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
I
= 3V, I = 0  
µA  
C
h
V
V
= 5V, I = 20mA  
30  
60  
70  
100  
FE1  
CE  
CE  
C
h
= 5V, I = 0.5A  
320  
2
FE2  
C
V
V
(Sat)  
(Sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I
I
=1.5A, I = 0.15A  
0.3  
0.8  
60  
V
V
CE  
C
C
B
=1.5A, I = 0.15A  
2
BE  
B
f
V
V
= 5V, I = 0.1A  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
E
C
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
40  
ob  
E
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty Cycle≤2% Pulsed  
h
Classificntion  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
60 ~ 120  
100 ~ 200  
160 ~ 320  
FE2  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
12345

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