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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92S |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 600 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC2786O | FAIRCHILD |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2786-O | SAMSUNG |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2786OBU | FAIRCHILD |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2786R | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| KSC2786-R | SAMSUNG |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2786RTA | FAIRCHILD |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2786Y | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| KSC2786-Y | SAMSUNG |
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暂无描述 |
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| KSC2786YBU | FAIRCHILD |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2786YTA | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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