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KSC2786RTA

更新时间： 2024-09-14 21:16:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 72K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92S, 3 PIN

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KSC2786RTA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92S包装说明：TO-92S, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.02 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：600 MHzBase Number Matches：1

KSC2786RTA 数据手册

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KSC2786  
TV PIF Amplifier, FM Tuner RF Amplifier,  
Mixer, Oscillator  
•
•
High Current Gain Bandwidth Product : f =600MHz (TYP)  
T
High Power Gain : G =22dB at f=100MHz  
PE  
TO-92S  
1.Emitter 2. Collector 3. Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
20  
V
CEO  
EBO  
4
V
I
20  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
250  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
30  
20  
4
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =10µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =5mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=30V, I =0  
0.1  
0.1  
240  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
V
=4V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
=6V, I =1mA  
40  
FE  
C
V
V
(on)  
Base-Emitter On Voltage  
=6V, I =1mA  
0.72  
0.1  
600  
1.2  
12  
V
V
BE  
CE  
C
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =10mA, I =1mA  
0.3  
C
B
f
V
=6V, I =1mA  
400  
MHz  
pF  
ps  
T
CE  
CB  
CE  
C
C
C
V
V
=6V, I =0, f=1MHz  
E
ob  
c·rbb’  
Collector-Base Time Constant  
=6V, I =1mA  
15  
C
f=31.9MHz  
NF  
Noise Figure  
Power Gain  
V
=6V, I =1mA  
3.0  
22  
5.0  
dB  
dB  
CE  
C
R =50Ω, f=100MHz  
S
G
V
=6V, I =1mA  
18  
PE  
CE  
C
f=100MHz  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234567

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