5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSC2859O
KSC2859O PDF预览

KSC2859O

更新时间： 2024-09-14 23:16:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管功率放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 57K
描述
Low Frequency Power Amplifier

阅读下载

中文翻译

获取价格

KSC2859O 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

KSC2859O 数据手册

 浏览型号KSC2859O的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KSC2859O的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KSC2859O的Datasheet PDF文件第4页 
KSC2859  
Low Frequency Power Amplifier  
•
Complement to KSA1182  
3
2
1
SOT-23  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
35  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
30  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
500  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.1  
Units  
I
I
V
V
=35V, I =0  
µA  
µA  
CEO  
EBO  
CB  
EB  
E
=5V, I =0  
0.1  
C
h
h
V
V
=1V, I =100mA  
70  
25  
240  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
=6V, I =400mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I =100mA, I =10mA  
0.1  
0.8  
300  
7
0.25  
1.0  
V
V
CE  
BE  
C
B
V
=1V, I =100mA  
C
CE  
CE  
CB  
f
Current Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
=6V, I =20mA  
MHz  
pF  
T
C
C
=6V, I =0, f=1MHz  
ob  
E
h
Classification  
FE1  
Classification  
O
Y
h
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE1  
Marking  
E1O  
h
grade  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

中文翻译

下载PDF

与KSC2859O相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC2859-O SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
KSC2859OL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
KSC2859OMTF FAIRCHILD

获取价格

 		Low Frequency Power Amplifier
KSC2859OS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
KSC2859S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
KSC2859TF SAMSUNG

获取价格

 		暂无描述
KSC2859TI SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
KSC2859TR SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
KSC2859Y FAIRCHILD

获取价格

 		Low Frequency Power Amplifier
KSC2859-Y SAMSUNG

获取价格

 		暂无描述

与KSC2859O相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证