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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSC1008O
KSC1008O PDF预览

KSC1008O

更新时间： 2024-10-31 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关放大器
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Low Frequency Amplifier Medium Speed Switching

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KSC1008O 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.75
最大集电极电流 (IC)：0.7 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

KSC1008O 数据手册

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KSC1008  
Low Frequency Amplifier Medium Speed  
Switching  
•
•
•
•
•
Complement to KSA708  
High Collector-Base Voltage : V  
=80V  
CBO  
Collector Current : I =700mA  
C
Collector Power Dissipation : P =800mW  
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)  
C
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
80  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
60  
V
CEO  
EBO  
8
V
I
700  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
800  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
80  
60  
8
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =10mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=60V, I =0  
0.1  
0.1  
400  
0.4  
1.1  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
=5V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
=2V, I =50mA  
40  
30  
FE  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =500mA, I =50mA  
0.2  
0.86  
50  
V
V
CE  
C
B
I =500mA, I =50mA  
BE  
C
B
f
V
=10V, I =50mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
C
V
=10V, I =0, f=1MHz  
8
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
G
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
200 ~ 400  
FE  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, August 2001  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC1008-O SAMSUNG

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