5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > KSC1008RD75Z
KSC1008RD75Z PDF预览

KSC1008RD75Z

更新时间： 2024-11-01 15:36:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 158K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

阅读下载

中文翻译

获取价格

KSC1008RD75Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.71
最大集电极电流 (IC)：0.7 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

KSC1008RD75Z 数据手册

 浏览型号KSC1008RD75Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KSC1008RD75Z的Datasheet PDF文件第3页 
KSC1008  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
LOW FREQUENCY AMPLIFIER  
MEDIUM SPEED SWITCHING  
· Complement to KSA708  
TO-92  
· High Collector-Base Voltage: VCBO=80V  
· Collector Current: IC=700mA  
· Collector Dissipation: PC=800mW  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
VCBO  
80  
60  
8
700  
800  
V
V
V
mA  
mW  
°C  
°C  
VCEO  
VEBO  
IC  
PC  
TJ  
150  
-55 ~ 150  
TSTG  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
80  
60  
8
Typ  
Max  
Unit  
IC=100mA, IE=0  
IC=10mA, IB=0  
IE=10mA, IC=0  
VCB=60V, IE=0  
VEB=5V, IC=0  
VCE=2V, IC=50mA  
IC=500mA, IB=50mA  
IC=500mA, IB=50mA  
VCE=10V, IC=50mA  
VCB=10V, IE=0  
f=1MHz  
V
V
V
mA  
mA  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
IEBO  
hFE  
VCE (sat)  
VBE (sat)  
fT  
0.1  
0.1  
400  
0.4  
1.1  
40  
30  
V
V
MHz  
pF  
0.2  
0.86  
50  
COB  
8
hFE CLASSIFICATION  
Classification  
R
O
Y
G
hFE  
40-80  
70-140  
120-240  
200-400  
Rev. B  
ã
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

中文翻译

下载PDF

与KSC1008RD75Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC1008RJ18Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
KSC1008RTA FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitacial Silicon Transistor
KSC1008Y FAIRCHILD

获取价格

 		Low Frequency Amplifier Medium Speed Switching
KSC1008YBU FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitacial Silicon Transistor
KSC1008YBU ONSEMI

获取价格

 		NPN外延硅晶体管
KSC1008YD26Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
KSC1008YD27Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
KSC1008YD74Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
KSC1008YJ05Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
KSC1008YTA FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitacial Silicon Transistor

与KSC1008RD75Z相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证