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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSC1008RTA
KSC1008RTA PDF预览

KSC1008RTA

更新时间： 2024-02-04 12:28:44
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 161K
描述
NPN Epitacial Silicon Transistor

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KSC1008RTA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：TO-92, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.71
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.7 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

KSC1008RTA 数据手册

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September 2006  
KSC1008  
tm  
NPN Epitacial Silicon Transistor  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
Low frequency amplifier medium speed switching.  
High Collector-Base Voltage : VCBO=80V.  
Collector Current : IC=700mA  
Collector Power Dissipation : PC=800mW  
Suffix “-C” means Center Collector (1.Emitter 2.Collector 3.Base)  
Non suffix “-C” means Side Collector (1.Emitter 2.Base 3.Collector)  
Complement to KSA708  
TO-92  
1
2 3  
KSC1008 : 1. Emitter 2. Base  
3. Collector  
KSC1008C : 1. Emitter 2. Collector 3. Base  
Absolute Maximum Ratings *  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
80  
Units  
V
VCBO  
Collector-Base Voltage  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector current  
60  
V
8
V
700  
mA  
mW  
°C  
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
800  
TJ  
+150  
-55 ~ +150  
Tstg  
°C  
* 1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics *  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
80  
Typ.  
Max. Units  
BVCBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
IC=100µA, IE=0  
V
V
V
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
IC=10mA, IB=0  
60  
IE=10µA, IC=0  
8
VCB=60V, IE=0  
0.1  
0.1  
400  
0.4  
1.1  
µA  
µA  
IEBO  
Emitter Cut-off Current  
VEB=5V, IC=0  
hFE  
DC Current Gain  
VCE=2V, IC=50mA  
IC=500mA, IB=50mA  
IC=500mA, IB=50mA  
VCE=10V, IC=50mA  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
40  
30  
VCE (sat)  
VBE (sat)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
0.2  
0.86  
50  
V
V
MHz  
pF  
Cob  
8
* DC Item are tested by Pulse Test: Pulse Width≤300us, Duty Cycle≤2%  
h
Classification  
Classification  
hFE  
FE  
R
O
Y
G
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
200 ~ 400  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
KSC1008 Rev. B  
1
www.fairchildsemi.com  
12345

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