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KSB596YTU

更新时间： 2024-02-02 11:51:36

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	758K
描述
4A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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技术参数
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KSB596YTU 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.37	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	NOT APPLICABLE	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

KSB596YTU 数据手册

Typical Characteristics

-4.0

1000

100

V_CE= -5V

I_B= -140mA

I_B= -160mA

-3.2

-2.4

-1.6

-0.8

I_B= -180mA

I_B= -60mA

I_B= -40mA

I_B= -20mA

I_B= 0mA

-1

-2

-3

-4

-5

-0.001

-0.01

-0.1

-1

-10

V_CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

I_C[A], COLLECTOR CURRENT

Figure 1. Static Characteristic

Figure 2. DC current Gain

-10

-4

-3

-2

-1

V_CE= -5V

I_C= 10 I_B

-1

-0.1

-0.01

-0.001

-0.01

-0.1

-1

-10

-0.4

-0.8

-1.2

-1.6

V_BE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE

I_C[A], COLLECTOR CURRENT

Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage

Figure 4. Collector-Emitter Saturation Voltage

-10

-200

V_CE= -5V

Ic Max(Pulse)

-160

-120

-80

-40

Ic Max(Continuous)

-1

-0.1

-1

-10

-100

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1.0

V_CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

V_BE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE

Figure 5. Base-Emitter On Voltage

Figure 6. Safe Operating Area

Rev. A, February 2000

1 234 5 6 7

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与KSB596YTU相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KSB601	FAIRCHILD	Low Frequency Power Amplifier	获取价格
KSB601O	FAIRCHILD	Low Frequency Power Amplifier	获取价格
KSB601-O	SAMSUNG	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
KSB601OJ69Z	FAIRCHILD	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
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