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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 150 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 5 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSB546O | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSB546R | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
|
| KSB546RJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| KSB546Y | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| KSB546YJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| KSB546YTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSB546YTU | ONSEMI |
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PNP外延硅晶体管 |
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| KSB564A | FAIRCHILD |
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Audio Frequency Power Amplifier |
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| KSB564A | WINNERJOIN |
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TRANSISTOR (PNP) |
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| KSB564A | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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