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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSB546YTU
KSB546YTU PDF预览

KSB546YTU

更新时间： 2024-10-29 12:59:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管电视放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 63K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSB546YTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.65
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：5 MHz
Base Number Matches：1

KSB546YTU 数据手册

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KSB546  
TV Vertical Deflectio n Output  
•
•
•
•
Collector-Base Voltage : V  
= -200V  
CBO  
Collector Current : l = -2A  
C
Collector Dissipation : P = 25W (T =25°C)  
C
C
Complement to KSD401  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
- 200  
- 150  
- 5  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current(DC)Y  
V
CEO  
EBO  
V
I
- 2  
A
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
25  
W
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
°C  
°C  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
- 200  
- 150  
- 5  
Typ.  
Max. Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
= - 500µA, I = 0  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
BV  
BV  
= - 10mA, I = 0  
B
I = - 500uA, I = 0  
E
C
I
V
= - 150V, I = 0  
- 50  
240  
- 1  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
= - 10V, I = - 0.4A  
40  
FE  
E
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I
= - 500mA, I = - 50mA  
V
CE  
C
B
f
V
= - 10V, I = - 0.4A  
5
MHz  
T
CE  
C
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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