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KSA1406CSTU

更新时间： 2024-01-17 08:33:41
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 71K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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KSA1406CSTU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.43最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：200 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：400 MHz
Base Number Matches：1

KSA1406CSTU 数据手册

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KSA1406  
CRT Display, Video Output  
•
•
•
High Current Gain Bandwidth Product : f = 400MHz (Typ.)  
T
High Collector-Base Breakdown Voltage : V  
= -200V  
CBO  
Low Reverse Transfer Capacitance : C =1.7pF (Typ.)  
re  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
- 200  
- 200  
- 4  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
CEO  
EBO  
V
I
I
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
- 100  
- 200  
1.2  
mA  
mA  
W
C
CP  
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
a
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
7
W
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
°C  
°C  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
- 200  
- 200  
- 4  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
= - 10µA, I = 0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
B
BV  
BV  
= - 1mA, R =∞  
BE  
I = - 100µA, I = 0  
V
E
C
I
I
V
= - 150V, I = 0  
- 0.1  
- 0.1  
120  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
BE  
C
Emitter Cut-off Current  
V
= - 2V, I = 0  
E
h
h
DC Current Gain  
V
V
= - 10V, I = - 10mA  
40  
20  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= - 10V, I = - 60mA  
C
V
V
(Sat)  
(Sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I
I
= - 30mA, I = - 3mA  
- 0.8  
- 1.8  
V
V
CE  
C
C
C
= - 30mA, I = - 3mA  
BE  
C
f
V
V
V
= - 30V, I = - 30mA  
400  
2.3  
1.7  
MHz  
pF  
pF  
T
CE  
CB  
CB  
C
C
C
= - 30V, f = 1MHz  
= - 30V, f = 1MHz  
ob  
re  
Reverse Transfer Capacitance  
* h Classification  
FE  
Classification  
C
D
h
40 ~ 80  
60 ~ 120  
FE1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
12345

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与KSA1406CSTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSA1406-D SAMSUNG

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 		Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast
KSA1614 ISC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
KSA1614 SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
KSA1614 FAIRCHILD

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 		Silicon PNP Power Transistors
KSA1614O FAIRCHILD

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KSA1614O ISC

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 		Transistor
KSA1614R FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
KSA1614-R SAMSUNG

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
KSA1614Y ISC

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 		暂无描述

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