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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 7 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 400 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.8 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSA1614 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| KSA1614 | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSA1614 | FAIRCHILD |
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Low Frequency Power Amplifier Power Regulator |
|
| KSA1614 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| KSA1614O | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSA1614O | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| KSA1614R | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSA1614-R | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSA1614Y | ISC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| KSA1614Y | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
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