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KSA1625

更新时间： 2024-01-09 09:12:11

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HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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KSA1625 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	最大关闭时间（toff）：	6000 ns
最大开启时间（吨）：	1000 ns

KSA1625 数据手册

UTCKSA1625

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

FEATURES

*Collector-Emitter voltage:

VCEO=-400V

*Collector Dissipation:

Pc(max)=625mW

*Low collector-Emitter saturation voltage

APPLICATIONS

*Telephone switching

*High voltage switch

TO-92

1:EMITTER 2: COLLECTOR 3: BASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS _{( Operating temperature range applies unless otherwise specified )}

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector dissipation(Ta=25°C)

Collector current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

TSTG

RATINGS

-400

UNIT

-400

-6

625

-300

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55 ~ +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS_{(Tj=25°C,unless otherwise specified)}

PARAMETER

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

SYMBOL

BVCBO

BVCEO

BVCES

BVEBO

ICBO

TEST CONDITIONS

Ic=-100µA,IE=0

MIN TYP MAX UNIT

-400

-5

Ic=-1mA,IB=0

Ic=-100µA,VBE=0

IE=-100µA,Ic=0

VCB=-300V,IE=0

VCB=-400V,VBE=0

VEB=-4V,Ic=0

-100

-1

µA

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

ICES

IEBO

100

DC current gain(note)

VCE=-10V,Ic=-1mA

VCE=-10V,Ic=-10mA

VCE=-10V,Ic=-50mA

VCE=-10V,Ic=-100mA

Ic=-10mA,IB=-1mA

Ic=-50mA,IB=-5mA

300

hFE

Collector-emitter saturation voltage

-0.20

-0.5

-0.75

VCE(sat)

Base-emitter saturation voltage

Output capacitance

VBE(sat) Ic=-10mA,IB=-1mA

Cob VCB=-20V,IE=0, f=1MHz

Note: Pulse test:PW<300µs, Duty Cycle<2%

UTC

UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R201-067,A

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