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KSA1962OTU

更新时间： 2024-01-29 18:00:05
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 85K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN

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KSA1962OTU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3P包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：230 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：130 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzBase Number Matches：1

KSA1962OTU 数据手册

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KSA1962  
Audio Power Amplifier  
•
•
•
•
•
High Current Capability : I = -10A  
High Collector-Emitter Breakdown Voltage : BV  
High Power Dissipation  
Wide S.O.A  
Complement to KSC5242  
C
=230V (Min.)  
CEO  
TO-3P  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-230  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current(DC)  
Base Current  
V
V
CBO  
-230  
CEO  
EBO  
-5  
V
I
I
-10  
A
C
-1.5  
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
100  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 50 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I =-5mA, I =0  
-230  
-230  
-5  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =-10mA, R =∞  
C BE  
I =-5mA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=-230V, I =0  
-5.0  
-5.0  
160  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
V
=-5V, I =0  
C
h
h
* DC Current Gain  
=-5V, I =-1A  
55  
35  
FE1  
FE2  
C
DC Current Gain  
=-5V, I =-7A  
60  
-0.4  
-1.0  
30  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =-8A, I =-0.8A  
-3.0  
-1.5  
V
V
CE  
C
B
V
=-5V, I =-7A  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
f
V
V
=-5V, I =-1A  
MHz  
pF  
T
C
C
=-10V, f=1MHz  
360  
ob  
* Pulse Test : PW=20us  
* h Classification  
FE  
Classification  
R
O
h
55 ~ 110  
80 ~ 160  
FE1  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, Septmeber 2001  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSA1962R FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSA1962RTU FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSA1962Y FAIRCHILD

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