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KSA1625MJ05Z

更新时间： 2024-01-12 00:38:13
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 44K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN

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KSA1625MJ05Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.76
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10 MHz
最大关闭时间（toff）：6000 ns最大开启时间（吨）：1000 ns
Base Number Matches：1

KSA1625MJ05Z 数据手册

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KSA1625  
High Voltage Switch  
•
•
High Breakdown Voltage  
High Speed Switching  
TO-92  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
PNP Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-400  
-400  
-7  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Base Current  
CBO  
V
CEO  
EBO  
V
I
I
I
-0.25  
-0.5  
A
B
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
A
C
-1.0  
A
CP  
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
0.75  
2
W
W
°C  
°C  
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
-55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Dc Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
I = -1mA, I =0  
-400  
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
V
= -400V, I =0  
-1  
-1  
µA  
µA  
CB  
EB  
CE  
E
V
V
= -5V, I =0  
C
h
= -5V, I = -50mA  
40  
10  
200  
-1  
FE  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = -100mA, I = -10mA  
A
V
CE  
C
B
I = -100mA, I = -10mA  
-1.2  
BE  
C
B
f
V
= -10V, I = -10mA  
MHz  
pF  
µs  
T
CE  
CB  
C
C
V
= -10V, f=1MHz  
25  
1
ob  
t
t
t
Turn On Time  
I = -100mA, R =1.5kΩ  
ON  
C
L
I
=- I = -10mA  
Storage Time  
B1  
B2  
5
µs  
STG  
F
V
= -150V  
CC  
Fall Time  
1
µs  
h
Classification  
FE  
Classification  
M
L
K
h
40 ~ 80  
60 ~ 120  
100 ~ 200  
FE  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
12345

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