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KSA1695Y PDF预览

KSA1695Y

更新时间： 2024-02-08 18:35:14
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 85K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN

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KSA1695Y 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3P包装说明：TO-3P, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：140 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：100 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzBase Number Matches：1

KSA1695Y 数据手册

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KSA1695  
Audio Power Amplifier  
•
•
•
•
High Current Capability : I = -8A  
High Power Dissipation  
Wide S.O.A  
C
Complement to KSC4468  
TO-3P  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-160  
-140  
-6  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
I
I
-8  
A
C
-16  
A
CP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
80  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I =-5mA, I =0  
-160  
-140  
-6  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =-10mA, R =∞  
C BE  
I =-5mA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=-80V, I =0  
-0.1  
-0.1  
200  
mA  
mA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
E
V
V
V
=-4V, I =0  
C
h
h
=-5V, I =-1A  
60  
20  
FE1  
FE2  
C
DC Current Gain  
=-5V, I =-6A  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =-5A, I =-0.5A  
-2.5  
-1.5  
V
V
CE  
C
B
V
=-5V, I =-1A  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
CC  
f
V
V
V
=-5V, I =-1A  
30  
MHz  
pF  
µs  
T
C
C
=-10V, f=1MHz  
=-20V,  
300  
0.25  
0.53  
1.61  
ob  
ON  
F
t
t
t
Turn ON Time  
I
= 1A = 10I = -10I  
Fall Time  
C
B1 B2  
µs  
R = 20Ω  
L
Storage Time  
µs  
STG  
* Pulse Test : PW=20us  
*h Classification  
FE  
Classification  
O
Y
h
60 ~ 120  
100 ~ 200  
FE1  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, Septmeber 2001  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSA1695YTU FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSA1943 FAIRCHILD

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 		Audio Power Amplifier
KSA1943O FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 13A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-264AA, Plas
KSA1943OTU FAIRCHILD

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