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KSA1614O

更新时间： 2024-01-03 18:17:45

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		/
页数	文件大小	规格书
3页	110K
描述
Transistor

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KSA1614O 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220F	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.92
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	55 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KSA1614O 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

KSA1614

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·Collector-base voltage: V_CBO=-80V

·Collector dissipation: P_C=20W(T_C=25℃)

APPLICATIONS

·Power regulator

·Low frequency power amplifier

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-80

UNIT

Open base

-55

Open collector

-5

-3

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KSA1614-R	SAMSUNG	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
KSA1614Y	ISC	获取价格	暂无描述
KSA1614Y	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
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