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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220F | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.89 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 55 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSA1614O | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSA1614O | ISC |
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Transistor |
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| KSA1614R | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSA1614-R | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSA1614Y | ISC |
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暂无描述 |
|
| KSA1614Y | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSA1614-Y | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSA1614YTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSA1625 | UTC |
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HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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| KSA1625 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Switch |
|
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