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KRC281S

更新时间： 2024-09-15 22:47:31

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KEC		晶体开关晶体管局域网
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描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, AUDIO MUTING)

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KRC281S 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	350	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz

KRC281S 数据手册

SEMICONDUCTOR

KRC281S~KRC286S

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

SWITCHING APPLICATION.

AUDIO MUTING APPLICATION.

FEATURES

DIM MILLIMETERS

High emitter-base voltage : V_EBO=25V(Min)

High reverse h_FE: reverse h_FE=150(Typ.) (V_CE=-2V, I_C=-4mA)

Low on resistance : R_on=1 (Typ.) (I_B=5mA)

With Built-in Bias Resistors.

2.93 0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30 MAX

0.45+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

0.95

Simplify Circuit Design.

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

EQUIVALENT CIRCUIT

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

SOT-23

MAXIMUM RATING (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

300

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_j

150

T_stg

-55 150

MARK SPEC

TYPE

h_FEclassification

Marking

Lot No.

KRC281S

KRC282S

KRC283S

KRC284S

KRC285S

KRC286S

MQB

MRB

Type Name

MSB

MTB

MUB

MVB

2002. 12. 5

Revision No : 1

1/2

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