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KRC282S

更新时间: 2024-11-05 22:47:31
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体开关晶体管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 386K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, AUDIO MUTING)

KRC282S 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.74
Is Samacsys:N其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC):0.3 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):350
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):30 MHz
Base Number Matches:1

KRC282S 数据手册

 浏览型号KRC282S的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KRC281S~KRC286S  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
SWITCHING APPLICATION.  
AUDIO MUTING APPLICATION.  
E
L
B
L
FEATURES  
DIM MILLIMETERS  
High emitter-base voltage : VEBO=25V(Min)  
High reverse hFE : reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA)  
Low on resistance : Ron=1 (Typ.) (IB=5mA)  
With Built-in Bias Resistors.  
_
+
2.93 0.20  
A
B
C
D
E
G
H
J
1.30+0.20/-0.15  
1.30 MAX  
0.45+0.15/-0.05  
2.40+0.30/-0.20  
1.90  
2
3
1
0.95  
Simplify Circuit Design.  
0.13+0.10/-0.05  
0.00 ~ 0.10  
0.55  
K
L
Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.  
P
P
M
N
P
0.20 MIN  
1.00+0.20/-0.10  
7
EQUIVALENT CIRCUIT  
M
C
1. EMITTER  
2. BASE  
R1  
B
3. COLLECTOR  
E
SOT-23  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
50  
20  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
25  
V
Collector Current  
300  
mA  
mW  
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
150  
Tj  
150  
Tstg  
-55 150  
MARK SPEC  
TYPE  
hFE classification  
B
Marking  
Lot No.  
KRC281S  
KRC282S  
KRC283S  
KRC284S  
KRC285S  
KRC286S  
MQB  
MRB  
Type Name  
MSB  
MTB  
MUB  
MVB  
2002. 12. 5  
Revision No : 1  
1/2  

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