5秒后页面跳转
KMM965G112AQN-G8 PDF预览

KMM965G112AQN-G8

更新时间: 2024-01-22 09:19:38
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 170K
描述
Synchronous Graphics RAM Module, 1MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144

KMM965G112AQN-G8 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SODIMM
包装说明:DIMM, DIMM144,32针数:144
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):125 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XZMA-N144
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:144
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM144,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048自我刷新:YES
最大待机电流:0.008 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.6 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:0.8 mm端子位置:ZIG-ZAG
Base Number Matches:1

KMM965G112AQN-G8 数据手册

 浏览型号KMM965G112AQN-G8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KMM965G112AQN-G8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KMM965G112AQN-G8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KMM965G112AQN-G8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号KMM965G112AQN-G8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号KMM965G112AQN-G8的Datasheet PDF文件第7页 
KMM965G112AQ(P)N / KMM966G112AQ(P)N  
SGRAM MODULE  
8MB SGRAM MODULE  
(1Mx64 SODIMM based on 512Kx32 SGRAM)  
Unbuffered SGRAM  
Graphics  
64-bit Non-ECC/Parity  
144-pin SODIMM  
Revision 0.0  
July 1999  
Rev. 0.0 (Jul. 1999)  
- 1 -  
ELECTRONICS  

与KMM965G112AQN-G8相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
KMM965G112PN-G0 SAMSUNG Synchronous Graphics RAM Module, 1MX64, 7ns, CMOS

获取价格

KMM965G112QN-G8 SAMSUNG Synchronous Graphics RAM Module, 1MX64, 6.5ns, CMOS

获取价格

KMM965G115P-G5 SAMSUNG SRAM Module, 1MX64, 4.5ns, CMOS

获取价格

KMM965G115P-G6 SAMSUNG SRAM Module, 1MX64, 5.5ns, CMOS

获取价格

KMM965G115P-G7 SAMSUNG SRAM Module, 1MX64, 5.5ns, CMOS

获取价格

KMM965G115P-G8 SAMSUNG SRAM Module, 1MX64, 6ns, CMOS

获取价格