生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIMM, DIMM144,32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 7 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XZMA-N144 |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 144 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX64 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM144,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 2048 | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.008 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.49 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | ZIG-ZAG |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM965G112QN-G8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous Graphics RAM Module, 1MX64, 6.5ns, CMOS |
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KMM965G115P-G5 | SAMSUNG |
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SRAM Module, 1MX64, 4.5ns, CMOS |
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KMM965G115P-G6 | SAMSUNG |
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SRAM Module, 1MX64, 5.5ns, CMOS |
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KMM965G115P-G7 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX64, 5.5ns, CMOS |
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KMM965G115P-G8 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX64, 6ns, CMOS |
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KMM965G115Q-G5 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous Graphics RAM Module, 1MX64, 4.5ns, CMOS |
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KMM965G115Q-G6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous Graphics RAM Module, 1MX64, 5.5ns, CMOS |
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KMM965G225P-G6 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM Module, 2MX64, 5.5ns, CMOS |
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KMM965G225P-G7 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM Module, 2MX64, 5.5ns, CMOS |
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KMM965G225P-G8 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM Module, 2MX64, 6ns, CMOS |
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