Datasheet > KMM965G112PN-G0

KMM965G112PN-G0

更新时间： 2024-01-10 13:58:57

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	850K
描述
Synchronous Graphics RAM Module, 1MX64, 7ns, CMOS

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KMM965G112PN-G0 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIMM, DIMM144,32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XZMA-N144
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM144,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.49 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...16

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KMM965G112QN-G8	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM Module, 1MX64, 6.5ns, CMOS
KMM965G115P-G5	SAMSUNG	获取价格	SRAM Module, 1MX64, 4.5ns, CMOS
KMM965G115P-G6	SAMSUNG	获取价格	SRAM Module, 1MX64, 5.5ns, CMOS
KMM965G115P-G7	SAMSUNG	获取价格	SRAM Module, 1MX64, 5.5ns, CMOS
KMM965G115P-G8	SAMSUNG	获取价格	SRAM Module, 1MX64, 6ns, CMOS
KMM965G115Q-G5	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM Module, 1MX64, 4.5ns, CMOS
KMM965G115Q-G6	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM Module, 1MX64, 5.5ns, CMOS
KMM965G225P-G6	SAMSUNG	获取价格	SRAM Module, 2MX64, 5.5ns, CMOS
KMM965G225P-G7	SAMSUNG	获取价格	SRAM Module, 2MX64, 5.5ns, CMOS
KMM965G225P-G8	SAMSUNG	获取价格	SRAM Module, 2MX64, 6ns, CMOS