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KMM591020BN-7

更新时间: 2024-11-21 18:01:35
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三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 53K
描述
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 70ns, CMOS, SIMM-30

KMM591020BN-7 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:SIMM, SIM30针数:30
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XSMA-N30
内存密度:9437184 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度:9功能数量:1
端口数量:1端子数量:30
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:SIMM
封装等效代码:SIM30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:16.51 mm最大待机电流:0.0008 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.225 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:2.54 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

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