Datasheet > 存储 > DRAM> KMM594000-8

KMM594000-8

更新时间： 2024-11-20 21:55:19

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KMM594000-8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	SIMM, SIM30	针数：	30
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XSMA-N30
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度：	9	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	30
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX9
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	SIMM	封装等效代码：	SIM30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	24.13 mm
最大待机电流：	0.009 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.9 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KMM594000A	SAMSUNG	获取价格	4M x 9 CMOS SIMM Memory Module
KMM594000A-10	SAMSUNG	获取价格	4M x 9 CMOS SIMM Memory Module
KMM594000A-7	SAMSUNG	获取价格	4M x 9 CMOS SIMM Memory Module
KMM594000A-8	SAMSUNG	获取价格	4M x 9 CMOS SIMM Memory Module
KMM594000B	SAMSUNG	获取价格	4M x 9 CMOS DRAM SIMM Memory Module
KMM594000B-6	SAMSUNG	获取价格	4M x 9 CMOS DRAM SIMM Memory Module
KMM594000B-7	SAMSUNG	获取价格	4M x 9 CMOS DRAM SIMM Memory Module
KMM594000B-8	SAMSUNG	获取价格	4M x 9 CMOS DRAM SIMM Memory Module
KMM594000C1-5	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX9, 50ns, CMOS, SIMM-30
KMM594000C1-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX9, 60ns, CMOS, SIMM-30