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KMM594100AN-6

更新时间: 2024-09-25 21:01:27
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三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 156K
描述
Fast Page DRAM Module, 4MX9, 60ns, CMOS, SIMM-30

KMM594100AN-6 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:,针数:30
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-XSMA-N30
内存密度:37748736 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度:9功能数量:1
端口数量:1端子数量:30
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

KMM594100AN-6 数据手册

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