生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SIMM, SIM30 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 100 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PSMA-N30 | 内存密度: | 2359296 bit |
内存集成电路类型: | PAGE MODE DRAM | 内存宽度: | 9 |
端子数量: | 30 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX9 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SIMM | 封装等效代码: | SIM30 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 512 | 座面最大高度: | 16.51 mm |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.175 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM59256AN8 | SAMSUNG |
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Page Mode DRAM, 256KX9, 80ns, CMOS, PSMA30 |
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KMM59256BN-7 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 256KX9, 70ns, CMOS, SIMM-30 |
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KMM59256BN-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 256KX9, 80ns, CMOS, SIMM-30 |
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KMM59256CN-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 256KX9, 70ns, CMOS, SIMM-30 |
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KMM59256CN-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 256KX9, 80ns, CMOS, SIMM-30 |
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KMM594000 | SAMSUNG |
获取价格 |
4M x 9 CMOS DRAM Memory Module |
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KMM594000-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
4M x 9 CMOS DRAM Memory Module |
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KMM594000-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
4M x 9 CMOS DRAM Memory Module |
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KMM594000A | SAMSUNG |
获取价格 |
4M x 9 CMOS SIMM Memory Module |
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KMM594000A-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
4M x 9 CMOS SIMM Memory Module |
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