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KMM59256AN10

更新时间: 2024-02-15 00:36:25
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 534K
描述
Page Mode DRAM, 256KX9, 100ns, CMOS, PSMA30

KMM59256AN10 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SIMM, SIM30
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PSMA-N30内存密度:2359296 bit
内存集成电路类型:PAGE MODE DRAM内存宽度:9
端子数量:30字数:262144 words
字数代码:256000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SIMM封装等效代码:SIM30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512座面最大高度:16.51 mm
子类别:DRAMs最大压摆率:0.175 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:2.54 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

KMM59256AN10 数据手册

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