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KMM59256CN-7

更新时间： 2024-09-23 18:01:35

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	53K
描述
Fast Page DRAM Module, 256KX9, 70ns, CMOS, SIMM-30

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KMM59256CN-7 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	SIMM, SIM30	针数：	30
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XSMA-N30	内存密度：	2359296 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE	内存宽度：	9
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	30	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX9	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	SIMM
封装等效代码：	SIM30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	16.51 mm	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.205 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KMM59256CN-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 256KX9, 80ns, CMOS, SIMM-30
KMM594000	SAMSUNG	获取价格	4M x 9 CMOS DRAM Memory Module
KMM594000-10	SAMSUNG	获取价格	4M x 9 CMOS DRAM Memory Module
KMM594000-8	SAMSUNG	获取价格	4M x 9 CMOS DRAM Memory Module
KMM594000A	SAMSUNG	获取价格	4M x 9 CMOS SIMM Memory Module
KMM594000A-10	SAMSUNG	获取价格	4M x 9 CMOS SIMM Memory Module
KMM594000A-7	SAMSUNG	获取价格	4M x 9 CMOS SIMM Memory Module
KMM594000A-8	SAMSUNG	获取价格	4M x 9 CMOS SIMM Memory Module
KMM594000B	SAMSUNG	获取价格	4M x 9 CMOS DRAM SIMM Memory Module
KMM594000B-6	SAMSUNG	获取价格	4M x 9 CMOS DRAM SIMM Memory Module