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KMM366S203BTN-G8

更新时间: 2024-11-25 21:10:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 560K
描述
Synchronous DRAM Module, 2MX64, 6ns, CMOS, PDMA168

KMM366S203BTN-G8 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:6 ns最大时钟频率 (fCLK):125 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDMA-N168
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64端子数量:168
字数:2097152 words字数代码:2000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM168封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
最大待机电流:0.004 A子类别:DRAMs
最大压摆率:1.44 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KMM366S203BTN-G8 数据手册

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