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KM79C86-19

更新时间: 2024-10-30 15:36:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 输入元件静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 253K
描述
Cache SRAM, 32KX9, 19ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44

KM79C86-19 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:QCCJ,针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:19 ns其他特性:REGISTERED INPUT; BURST COUNTER
JESD-30 代码:S-PQCC-J44长度:16.5862 mm
内存密度:294912 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:9功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX9
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.57 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD宽度:16.5862 mm
Base Number Matches:1

KM79C86-19 数据手册

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