是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP8,.25 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.92 |
其他特性: | 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS | 最大时钟频率 (fCLK): | 1 MHz |
数据保留时间-最小值: | 10 | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 5.02 mm | 内存密度: | 256 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 16 words | 字数代码: | 16 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16X16 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.95 mm |
串行总线类型: | MICROWIRE | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 3.94 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | 写保护: | SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM93C07GD | SAMSUNG |
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EEPROM, 16X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 | |
KM93C07GDI | SAMSUNG |
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EEPROM, 16X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 | |
KM93C07GI | SAMSUNG |
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EEPROM, 16X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 | |
KM93C07I | SAMSUNG |
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EEPROM, 16X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 | |
KM93C07IG | SAMSUNG |
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EEPROM, 16X16, Serial, CMOS, PDSO8 | |
KM93C07IGD | SAMSUNG |
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EEPROM, 16X16, Serial, CMOS, PDSO8 | |
KM93C46 | SAMSUNG |
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1K BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM | |
KM93C46GD | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 | |
KM93C46GDI | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 | |
KM93C46I | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 |