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KM93C46V

更新时间： 2024-09-15 13:09:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		可编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
6页	194K
描述
EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8

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KM93C46V 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP8,.3	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.91
其他特性：	100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS	最大时钟频率 (fCLK)：	0.25 MHz
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDIP-T8	JESD-609代码：	e0
长度：	9.185 mm	内存密度：	1024 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	64 words	字数代码：	64
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64X16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.55 mm	串行总线类型：	MICROWIRE
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.003 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	15 ms
写保护：	SOFTWARE	Base Number Matches：	1

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM93C46VG	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
KM93C46VGD	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
KM93C46VGDI	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
KM93C46VGI	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
KM93C46VI	SAMSUNG	获取价格	EEPROM
KM93C46VIG	SAMSUNG	获取价格	EEPROM
KM93C46VIGD	SAMSUNG	获取价格	EEPROM
KM93C56	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
KM93C56G	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
KM93C56GD	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8