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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP8,.3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 数据保留时间-最小值： | 10 | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1024 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 16 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 64 words | 字数代码： | 64 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64X16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 串行总线类型： | MICROWIRE | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.003 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 写保护： | SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM93C46V | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 |
|
| KM93C46VG | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 |
|
| KM93C46VGD | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 |
|
| KM93C46VGDI | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 |
|
| KM93C46VGI | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 |
|
| KM93C46VI | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM |
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| KM93C46VIG | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM |
|
| KM93C46VIGD | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM |
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| KM93C56 | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 |
|
| KM93C56G | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 |
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