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KM93C07I

更新时间： 2024-11-30 20:40:27

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三星 - SAMSUNG		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	47K
描述
EEPROM, 16X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8

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KM93C07I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP8,.3
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	其他特性：	100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e0	长度：	9.185 mm
内存密度：	256 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	16 words
字数代码：	16	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16X16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.55 mm	串行总线类型：	MICROWIRE
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.003 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
写保护：	SOFTWARE	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM93C07IG	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 16X16, Serial, CMOS, PDSO8
KM93C07IGD	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 16X16, Serial, CMOS, PDSO8
KM93C46	SAMSUNG	获取价格	1K BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM
KM93C46GD	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
KM93C46GDI	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
KM93C46I	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
KM93C46IG	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8
KM93C46IGD	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8
KM93C46P	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDIP8,
KM93C46PI	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDIP8,