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KM79C86J-14

更新时间： 2024-10-30 20:09:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	232K
描述
Cache SRAM, 32KX9, 14ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44

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KM79C86J-14 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCJ, LDCC44,.7SQ	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	14 ns	其他特性：	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PQCC-J44
JESD-609代码：	e0	长度：	16.5862 mm
内存密度：	294912 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	9	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	44
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX9
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC44,.7SQ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.57 mm
最大待机电流：	0.05 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	16.5862 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM79C86J-19	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 32KX9, 19ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
KM79C86J-24	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 32KX9, 24ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
KM820K	ETC	获取价格	R. F. Molded Chokes
KM821K	ETC	获取价格	R. F. Molded Chokes
KM822J	ETC	获取价格	R. F. Molded Chokes
KM823J	ETC	获取价格	R. F. Molded Chokes
KM864741	NUVOTON	获取价格	BGA 81pin 5x5mm， Pitch 0.5mm
KM864742	NUVOTON	获取价格	BGA 81pin 5x5mm， Pitch 0.5mm
KM9000	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	AM/FM RADIO TRANSISTOR KIT
KM9011	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	AM,FM FADIO TRANSISTOR KIT