是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, SOJ32,.44 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 10 ns | 其他特性: | REGISTERED INPUT OUTPUT |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 20.96 mm |
内存密度: | 1179648 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 9 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX9 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ32,.44 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.76 mm |
最大待机电流: | 0.04 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.15 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM79C40J-14 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX9, 14ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | |
KM79C40J-19 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX9, 19ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | |
KM79C40J-24 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX9, 24ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | |
KM79C86-14 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 32KX9, 14ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | |
KM79C86-19 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX9, 19ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | |
KM79C86J-14 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX9, 14ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | |
KM79C86J-19 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX9, 19ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | |
KM79C86J-24 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX9, 24ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | |
KM820K | ETC |
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R. F. Molded Chokes | |
KM821K | ETC |
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R. F. Molded Chokes |