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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 3.1 ns |
| 其他特性： | ONCHIP ADDRESS COUNTER; SELF TIMED WRITE CYCLE | 内存密度： | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 功能数量： | 1 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX36 | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM736V847H-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| KM736V847T-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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| KM736V847T-70000 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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| KM736V847T-80000 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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| KM736V847T-9 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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| KM736V847T-9T | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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| KM736V849-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| KM736V887 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM |
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| KM736V887-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| KM736V887-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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