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KM736V847T-9

更新时间： 2024-11-16 06:52:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 385K
描述
ZBT SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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KM736V847T-9 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：LQFP, QFP100,.63X.87
针数：100Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92最长访问时间：9 ns
其他特性：FLOW-THROUGH ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：83 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e0长度：20 mm
内存密度：9437184 bit内存集成电路类型：ZBT SRAM
内存宽度：36功能数量：1
端子数量：100字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX36输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LQFP
封装等效代码：QFP100,.63X.87封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大待机电流：0.03 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：14 mm

KM736V847T-9 数据手册

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KM736V847  
KM718V947  
256Kx36 & 512Kx18 Flow-Through NtRAMTM  
Document Title  
256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAMTM  
Revision History  
Rev. No.  
History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
0.1  
1. Initial document.  
April. 09. 1998  
June. 02. 1998  
Preliminary  
Preliminary  
Modify from ADV to ADV at timing.  
Add the Trade Mark( NtRAMTM  
)
0.2  
Sep. 09. 1998  
Preliminary  
1. Changed tCD from 8.0ns to 8.5ns at -8  
2. Changed tCYC from 13.0ns to 12.0ns at -10  
3. Changed DC condition at Icc and parameters  
Icc ; from 240mA to 260mA at -10,  
ISB1 ; from 10mA to 30mA,  
ISB2 ; from 10mA to 30mA.  
0.3  
Oct. 15. 1998  
Preliminary  
1. ADD 119BGA(7x17 Ball Grid Array Package) .  
2. ADD x32 organization  
0.4  
0.5  
1.0  
Dec. 10. 1998  
Dec. 23. 1998  
Jan. 29. 1999  
Preliminary  
Preliminary  
Final  
ADD VDDQ Supply voltage( 2.5V )  
Changed VOL Max value from 0.2V to 0.4V at 2.5V I/O.  
1. Final Spec Release.  
2. Remove x32 organization.  
2.0  
3.0  
4.0  
Feb. 25. 1999  
May. 13. 1999  
Nov. 19. 1999  
Final  
Final  
Final  
1. Remove VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )  
1. Add VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )  
1. Add tCYC 117MHz.  
2. Remove 119BGA package.  
3. Change tCYC from 12ns to 10ns at -9.  
4. Changed DC condition at Icc and parameters  
Icc ; from 300mA to 280mA at -8,  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
- 1 -  
November 1999  
Rev 4.0  
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与KM736V847T-9相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM736V847T-9T SAMSUNG

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 		ZBT SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
KM736V849-10 SAMSUNG

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 		ZBT SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM736V887 SAMSUNG

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 		256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM
KM736V887-10 SAMSUNG

获取价格

 		Standard SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM736V887-8 SAMSUNG

获取价格

 		Standard SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM736V887-9 SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM736V887H-10 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
KM736V887H-8 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
KM736V887H-9 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
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 		Cache SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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