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KM736V887-8

更新时间： 2024-11-15 15:46:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	936K
描述
Standard SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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KM736V887-8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.6
最长访问时间：	8.5 ns	其他特性：	ONCHIP ADDRESS COUNTER; SELF TIMED WRITE CYCLE
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	长度：	20 mm
内存密度：	9437184 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM736V887-9	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM736V887H-10	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
KM736V887H-8	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
KM736V887H-9	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
KM736V887T-10	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM736V887T-7	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM736V887T-8	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM736V889H-50	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
KM736V890T-10000	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM736V890T-72000	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100