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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | LQFP, | 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 5 ns | JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| 长度： | 20 mm | 内存密度： | 9437184 bit |
| 内存集成电路类型： | ZBT SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX36 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LQFP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.6 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | QUAD |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM736V887 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM |
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| KM736V887-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| KM736V887-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| KM736V887-9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| KM736V887H-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| KM736V887H-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| KM736V887H-9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| KM736V887T-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| KM736V887T-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| KM736V887T-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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