是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA, BGA119,7X17,50 |
针数: | 119 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 2.5 ns |
其他特性: | BYTE WRITE; POWER DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 22 mm | 内存密度: | 4718592 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 119 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA119,7X17,50 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.5,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.06 A | 最小待机电流: | 3.15 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.65 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM736FV4021H-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM | |
KM736FV4021H-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM | |
KM736FV4022H-65 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 | |
KM736FV4022H-7 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX36, 7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 | |
KM736FV4022H-75 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 | |
KM736N | FRONTIER |
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10mm Adjustable Shielded RF Coil (I) | |
KM736N-LFR | FRONTIER |
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10mm Adjustable Shielded RF Coil (I) | |
KM736S4017H-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX36, 2.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, BGA-153 | |
KM736S8011H-4000 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 | |
KM736S8011H-5000 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 2.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |