是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | LQFP, QFP100,.63X.87 |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 5 ns | 其他特性: | LINEAR OR INTERLEAVE BURST |
最大时钟频率 (fCLK): | 116 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 1179648 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装等效代码: | QFP100,.63X.87 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.5,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大待机电流: | 0.0005 A |
最小待机电流: | 3.14 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.26 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.47 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.13 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM736V595AT-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX36, 4.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
KM736V595AT-7 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 32KX36, 4.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
KM736V599ALT-10 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 32KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
KM736V599AT-10 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 32KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
KM736V599AT-7 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 32KX36, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
KM736V687 | SAMSUNG |
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64Kx36-Bit Synchronous Burst SRAM, 3.3V Power Datasheets for 100TQFP | |
KM736V687-10 | ETC |
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x36 Fast Synchronous SRAM | |
KM736V687-8 | ETC |
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x36 Fast Synchronous SRAM | |
KM736V687-9 | ETC |
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x36 Fast Synchronous SRAM | |
KM736V687A | SAMSUNG |
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64Kx36 Synchronous SRAM |