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KM736V595ALT-8

更新时间: 2024-11-15 14:51:55
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 455K
描述
Cache SRAM, 32KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

KM736V595ALT-8 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87
针数:100Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:5 ns其他特性:LINEAR OR INTERLEAVE BURST
最大时钟频率 (fCLK):116 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e0
长度:20 mm内存密度:1179648 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:36
功能数量:1端子数量:100
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX36
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:2.5,3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm最大待机电流:0.0005 A
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.26 mA最大供电电压 (Vsup):3.47 V
最小供电电压 (Vsup):3.13 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mmBase Number Matches:1

KM736V595ALT-8 数据手册

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