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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFP | 包装说明： | LQFP, QFP100,.63X.87 |
| 针数： | 100 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 5 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 20 mm | 内存密度： | 1179648 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX36 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LQFP | 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.6 mm | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 最小待机电流： | 3.14 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.24 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.13 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM736V599AT-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX36, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| KM736V687 | SAMSUNG |
获取价格 |
64Kx36-Bit Synchronous Burst SRAM, 3.3V Power Datasheets for 100TQFP |
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| KM736V687-10 | ETC |
获取价格 |
x36 Fast Synchronous SRAM |
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| KM736V687-8 | ETC |
获取价格 |
x36 Fast Synchronous SRAM |
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| KM736V687-9 | ETC |
获取价格 |
x36 Fast Synchronous SRAM |
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| KM736V687A | SAMSUNG |
获取价格 |
64Kx36 Synchronous SRAM |
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| KM736V687T-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
|
| KM736V687T-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
|
| KM736V689 | SAMSUNG |
获取价格 |
64Kx36 Synchronous SRAM |
|
| KM736V689-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM |
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